輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(重慶大學(xué))的研究人員周林、李寒江、解寶、李海嘯、聶莉，在2019年第20期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》上撰文指出(論文標(biāo)題為“SiC MOSFET的Saber建模及其在光伏并網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用和分析”)，SiC MOSFET高頻、高效、高功率密度的特性符合光伏逆變器的發(fā)展趨勢(shì)，但隨之而來(lái)的開(kāi)關(guān)振蕩問(wèn)題亟待解決。開(kāi)關(guān)頻率提升后，由于開(kāi)關(guān)振蕩的存在，可能導(dǎo)致高頻下的并網(wǎng)電流波形質(zhì)量下降，因此需要建立精準(zhǔn)的模型來(lái)為SiC MOSFET在光伏逆變器中的應(yīng)用提供指導(dǎo)。 　　目前的SiC MOSFET模型大多基于Pspice的仿真環(huán)境建立的，不能用于包含復(fù)雜的電路拓?fù)浜涂刂扑惴ǖ姆抡嫜芯??；赟aber環(huán)境提出一種可以將SiC MOSFET與光伏逆變器結(jié)合的模型，通過(guò)雙脈沖實(shí)驗(yàn)得出SiC MOSFET的器件特性，對(duì)SiC MOSFET的靜態(tài)特性和非線(xiàn)性電容進(jìn)行建模。 　　最后將模型運(yùn)用到光伏并網(wǎng)逆變器中，將仿真結(jié)果與搭建的光伏并網(wǎng)逆變器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)實(shí)測(cè)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，并對(duì)SiC光伏并網(wǎng)逆變器在不同開(kāi)關(guān)頻率情況下的性能進(jìn)行分析和研究，驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性和適用性。 　　隨著能源的日益緊缺，清潔能源的開(kāi)發(fā)和利用已成為了當(dāng)今時(shí)代的迫切需要。近年來(lái)，光伏電池組件和逆變器的成本不斷降低，光伏發(fā)電已經(jīng)成為了世界各國(guó)政府和能源專(zhuān)家的關(guān)注重點(diǎn)。光伏發(fā)電系統(tǒng)與電網(wǎng)需要以逆變器為接口設(shè)備，因此光伏逆變器作為現(xiàn)今研究熱點(diǎn)之一，實(shí)現(xiàn)其高效、高功率密度和高可靠的性能指標(biāo)是保障光伏發(fā)電系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)、穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵要素。 　　目前已有大量文獻(xiàn)對(duì)光伏逆變器的拓?fù)洹⒖刂萍夹g(shù)、孤島檢測(cè)、鎖相同步等進(jìn)行了研究。光伏逆變器各個(gè)層面上的技術(shù)研究在目前都已經(jīng)達(dá)到相當(dāng)成熟的地步。為了進(jìn)一步降低逆變器的成本和提升逆變器的性能，對(duì)于開(kāi)關(guān)器件上的改進(jìn)和創(chuàng)新是必然的發(fā)展趨勢(shì)。以硅(Si)作為主要材料的功率半導(dǎo)體器件在大型光伏電站并網(wǎng)逆變器中使用廣泛，但由于受到自身材料的限制，Si器件的性能已接近極限。 　　近年來(lái)，SiC等寬禁帶的功率半導(dǎo)體器件因其可在高壓、高溫、高頻的情況下工作的特性，越來(lái)越多地走進(jìn)了人們的視野，其中SiC MOSFET是現(xiàn)今最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件，已有很多文獻(xiàn)對(duì)高頻的SiC MOSFET功率變換器進(jìn)行了研究。 　　然而，正是由于SiC MOSFET極快的開(kāi)關(guān)速度，使其對(duì)寄生參數(shù)非常敏感，導(dǎo)致其在開(kāi)關(guān)過(guò)程中出現(xiàn)明顯的電壓和電流振蕩，強(qiáng)烈的電壓和電流過(guò)沖可能會(huì)危及器件的安全，使功率損耗增加，在運(yùn)用于光伏逆變器中，還可能會(huì)影響逆變器的性能。開(kāi)關(guān)振蕩問(wèn)題是SiC MOSEFT成為主流功率半導(dǎo)體器件道路上遇到的一大挑戰(zhàn)。 　　為了研究和分析開(kāi)關(guān)振蕩對(duì)光伏逆變器的影響以及為減振器和阻尼電路的設(shè)計(jì)提供指導(dǎo)，需要建立精準(zhǔn)的SiC MOSFET模型。目前針對(duì)SiC MOSFET的建模多數(shù)只關(guān)注其本身的振蕩問(wèn)題，無(wú)法將器件特性的影響體現(xiàn)在光伏逆變器系統(tǒng)的復(fù)雜拓?fù)渲?，而SiC MOSFET開(kāi)關(guān)振蕩的問(wèn)題對(duì)逆變器造成的影響不可忽略，因此會(huì)出現(xiàn)仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果不符的情況。這是由于在提高了開(kāi)關(guān)頻率后，開(kāi)關(guān)振蕩在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)的占比增大，從而影響逆變器并網(wǎng)電流波形質(zhì)量。 　　本文提出一種基于Saber環(huán)境下的SiC MOSFET模型，建模過(guò)程中考慮了MOSFET的各寄生元件。首先，本文選用了Cree公司生產(chǎn)的CCS050M12SM2型號(hào)的1.2kV SiC MOSFET作為研究對(duì)象，通過(guò)雙脈沖實(shí)驗(yàn)得出了SiC MOSFET器件的各項(xiàng)特性曲線(xiàn)，為建立SiC MOSFET模型奠定基礎(chǔ)，為驗(yàn)證分析模型的可靠性提供了參考。然后，本文建立了SiC MOSFET的靜態(tài)特性模型和非線(xiàn)性電容模型。 　　基于不同工作區(qū)域的情況，推導(dǎo)了靜態(tài)特性參數(shù)的數(shù)學(xué)方程。MOSFET各極間非線(xiàn)性電容對(duì)開(kāi)關(guān)暫態(tài)過(guò)程的特性影響較大，開(kāi)關(guān)過(guò)程中的振蕩問(wèn)題也是本文關(guān)注重點(diǎn)。因此，為滿(mǎn)足電路仿真的需求，本文搭建了準(zhǔn)確的數(shù)學(xué)模型用以描述各個(gè)電容的特性，并與普通方式搭建的模型進(jìn)行對(duì)比分析。 　　最后，本文搭建了SiC單相并網(wǎng)逆變器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，通過(guò)對(duì)比不同開(kāi)關(guān)頻率下仿真和實(shí)驗(yàn)的開(kāi)關(guān)振蕩波形，對(duì)SiC光伏并網(wǎng)逆變器在不同開(kāi)關(guān)頻率情況下的性能進(jìn)行研究和分析，驗(yàn)證了模型的正確性和適用性，為后續(xù)SiC MOSFET在光伏逆變器中應(yīng)用提供了理論指導(dǎo)。
　　圖16 SiC單相并網(wǎng)逆變器實(shí)驗(yàn)平臺(tái) 　　 結(jié)論 　　本文以1.2kV SiC MOSFET為研究對(duì)象，通過(guò)雙脈沖實(shí)驗(yàn)獲取SiC MOSFET器件的各項(xiàng)特性曲線(xiàn)，在此基礎(chǔ)上提出了一種基于Saber仿真環(huán)境下的模型，該模型包含了器件的各項(xiàng)寄生元件及參數(shù)，對(duì)SiC MOSFET的靜態(tài)特性和非線(xiàn)性電容特性還原度較高。本文提出的模型可以運(yùn)用于SiC光伏并網(wǎng)逆變器的仿真研究中，分析逆變器的效果及性能。 　　仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該模型可準(zhǔn)確地模擬出SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中出現(xiàn)的電壓振蕩問(wèn)題，并反映出開(kāi)關(guān)振蕩對(duì)并網(wǎng)逆變器電能質(zhì)量的影響。在后續(xù)SiC光伏逆變器的研究中，該模型也可為開(kāi)關(guān)振蕩的阻尼電路和逆變器控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)和驗(yàn)證工具?；诒疚奶岢龅哪Ｐ秃蛯?shí)驗(yàn)分析，可總結(jié)出以下兩點(diǎn)SiC MOSFET在光伏并網(wǎng)逆變器的應(yīng)用中可能面臨的問(wèn)題： 　　1)在沒(méi)有針對(duì)性的阻尼SiC MOSFET開(kāi)關(guān)電壓振蕩的情況下，電壓振蕩的波峰和波谷差值較大，同時(shí)振蕩頻率非常高，在此過(guò)程中SiC MOSFET漏源極兩端的du/dt較大。因此，電壓振蕩問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致逆變器出現(xiàn)串?dāng)_，嚴(yán)重時(shí)可能出現(xiàn)橋臂直通的現(xiàn)象，影響逆變器的正常工作。 　　2)本文選用的1.2kV SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生電壓振蕩的持續(xù)時(shí)間約為6s，因此在逆變器開(kāi)關(guān)頻率較低的情況下，振蕩過(guò)程在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期的占比小;當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率提高后，逆變器橋臂上下兩端電壓在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期均處于振蕩狀態(tài)，導(dǎo)致高頻下的逆變器并網(wǎng)電流諧波相較于低頻時(shí)反而更大，不能發(fā)揮出SiC MOSFET高頻化的優(yōu)勢(shì)，嚴(yán)重影響逆變器的性能。

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